通过将用两个硅平板通过交错放置多壁碳纳米管电容结构，然后利用多壁碳纳米管的内壁和外壁连接不同电极得到更大的耦合解决电容元件极限问题，但这种内外壁构造电容器的方式对工艺要求极高，几乎不能容忍任何工业误差，所以可想而知废品率跟成本有多高，这就需要考虑别的制备方法。”
“其次，要考虑多壁碳纳米管电容尺寸对性能的影响，要考虑电容的谐振频率跟材料尺寸、密度的关系，这就需要反复的实验才能得出相对靠谱的结论。再次，是散热过程，集成电路在硅通管内，这种三维模式下，集成电路密度极高，这就又需要选择极大导热率的材料将堆积的热度快速导出，说起来简单，没成千上万次实验根本解决不了。”
“最重要的是，制备合规纳米管的工艺还需要反复实验，然后找到一种可以推广的低成本制备方法，这就有需要咱们去研究一系列能够在工业上进行大规模制备类似材料的机械，就好像现在工业上用来将氧化硅提纯的电弧炉，制造成晶棒之后还需要切割机、滚圆机、截断机……”
“完成了这些还需要探索一条路，怎么才能让这些碳纳米管如同我们预先设计好的电路模式在硅通道内有序生长。要知道这种工艺制造出来的芯片，理论上每立方毫米要达到五到十亿个碳纳米管。当然，这些都是其次，重要的是，如果停留在三月智能模拟上的一些东西成功了，理论上我们就能走出一条新路来。”
“换句话说之前整个芯片产业设置的专业壁垒全部无效了，我们也不用在着急的去发展自己光刻技术，而是直接用一种全新的方式来制备未来的芯片。只要这种芯片表现出足够的高性能，在结合华夏庞大的内部市场需求，咱们也就不需要获得别人的标准认同，只要制定好内部标准，就能在许多范围内开始大规模的开始应用。”
“当然最重要的是，只要我们实现这种技术，甚至还
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