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第131章 十倍精度光刻(4 / 5)

过程不同,”纪弘介绍道:“类思维ai在这里发挥了巨大的作用。

“刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是lele这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的lelelelle,是因为精度不好把握。

“但,对于我们来说,这反倒是最简单的。对准嘛,机械重复就好了,一次不行那就多来几次。”

这个过程困难吗?

对于一般的产线来说,非常困难。

因为误差有多少,不下产线去检测就不可能知道。

一次光刻之后,按程序移动,然后二次光刻,所有流程结束了,上检测线了,上封测线了,才能知道哪儿出了问题,良率多少,是不是能够满足量产需求。

不能的话,去调整,重复上述过程,直到满足需求。

但宏图微电子这儿呢?就好像里边住了个人。

机台动了一下,光刻尚未进行:“我对准了没?”

“好像还差一点。”

“现在呢?”

“往右一点。”

“这会儿呢?”

“往左一点。”

“现在呢?这回总可以了吧?”

“嗯!刻吧!”

这一刻,精准无比,别说刻三次五次,哪怕十次更多次,只要计算好了,那也完全都没有问题。

当然,真正的过程不可能是描述的这个样子,但如果拟人化的话,大概是这么个意思。

这就叫做精度不够,“微调”来凑。一步不到位,咱慢慢调。

当然,这个慢也是相对的——如果传感数据计算好了,由人来判断和调整,那是真叫慢——光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。

但这个时候判断是否对准以及做出决策的,是类思维ai工业模型结合机器视觉以及维纳传

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