93纳米分辨率的浸润式光刻机，理论上甚至能够做到等效十多纳米乃至更低等效工艺的芯片……只不过工艺过于复杂，目前还没有公司在这一技术领域获得过成功。”
“实际上，使用多重曝光技术的话，远不如直接使用光源分辨率更小的euv光刻机来的简单直接，成本还低。”
徐申学听了后，回忆了一番自己所记得的一些芯片方面的信息，但是能记起来的也不多……也就是什么十四纳米，七纳米，五纳米这些。
他并不知道，二十八纳米以及往上的工艺，计算芯片工艺的时候采用的是栅极长度。
但是到了二十八纳米之下，芯片工艺计算的方式是‘半间距’，算出来的工艺是等效工艺，比如十四纳米工艺……这其实是等效工艺！
而且不同的芯片代工厂因为工艺的差异或者营销的需求，往往会计算等效工艺的公式还不一样，很容易就让人迷惑了。
比如台积电七纳米和英特尔10纳米……这俩玩意虽然工艺不一样，称呼不一样，但实际上性能都差不多，可以简单粗暴的理解为同一技术水准的东西。
但是徐申学却是知道：台积电等效七纳米或英特尔等效十纳米工艺的话，其实已经可以满足绝大部分芯片的需求了……
只有最顶级的电脑cpu，显卡，手机soc以及了未来的ai芯片，才会需要更低的等效五纳米，乃至等效三纳米，两纳米之类的工艺……而这些工艺就需要更先进的euv光刻机了。
这东西人家国外也刚弄出来，一时半会的也买不到……更别说这玩意大概率因为技术封锁难以购买。
所以徐申学对此不抱有什么希望，先购买一大堆duv浸润式光刻机再说……后续也尽可能的采购更先进的duv浸润式光刻机，争取被制裁后，也能够独立搞出来等效七纳米左右的芯片。
有了
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