米工艺的技术改良上,他们对比智云微电子的十四纳米工艺技术改良,多少还是有一些差距的。
尤其是在漏电率这一关键指标上。
智云微电子在这一领域的技术积累是非常雄厚的,从二十八纳米时代开始,就一直领先于其他半导体厂商,当年的28lp工艺可是当时最优秀的低功耗工艺。
低功耗怎么来的?就是依靠漏电率的降低地带来的。
后续智云微电子在十八纳米工艺,十四纳米工艺上进一步改良,尤其是在3d晶体管上做了很多文章。
等到了十二纳米工艺时期,可以说智云微电子在芯片制造领域的漏电率控制上已经取得了非常大的成就,比英特尔那边更靠谱。
据传,英特尔因为无法在下一代的工艺,他们称之为十纳米工艺上获得技术进步,但是又想要维持芯片的性能持续增加,已经打算走力大飞转模式……通过降低芯片内的晶体管密度,来降低漏电率,进而获得更大的主频,然后获得性能提升。
这其实在芯片技术发展里,是属于走反路……因为芯片晶体管密度降低,同时又要保持性能的话,那么芯片的面积就需要做的更大。
这意味着更多的额外成本。
毕竟晶圆片的尺寸是固定的,在这固定的硅晶圆片的面积里,生产一百枚芯片,和生产两百枚芯片,彼此间的芯片成本差距将会是巨大的。
但是这对于英特尔而言,也是属于无奈之举……先进工艺迟迟无法获得突破,又想要维持芯片性能进展,也只能依靠这种力大飞转的模式。
所以当英特尔的人看到智云半导体发布了wz6000系列芯片,其性能竟然比自家的刚发布的芯片还要更强悍的时候,其公司高层都是带着担忧。
智云半导体除了发布wz6000系列芯片外,还发布了其他多款芯片产品。
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