据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。
如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。
正在研发当中，预计明年投产的等效七纳米工艺，半金属间距是二十七。
隔壁的台积电以及四星，在各工艺节点上也差不多这个水准，有一些偏差，但是不会大。
而到了二十七纳米这个半金属间距，也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后，duv浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了，很难再往下继续搞了，比如等效五纳米工艺就很难搞……当然，也不是说不行，如果套刻精度能够做到两纳米的程度，也能勉强高，但是成本会上天……
智云半导体以及对面的台积电，其实都在尝试用duv浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯，就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。
别看只是两纳米的半金属工艺的提升，但是依旧是一道难以夸张的天堑，难得很。
所以别看都在搞，但实际上都对这一技术路线望而止步……用duv浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片，这个太扯淡了，从商业角度来看完全不值得。
所以这两家芯片先进工艺的竞争对手，在使用duv浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上，都是雷声大，雨点小……都在指望euv光刻机呢。
至于四星和英特尔，他们就更惨了，他们连十纳米工艺，嗯，也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。
等效七纳米，遥遥无期……
其中的英特尔是受限于各种情况，技术推进非常不顺利，只能在十四纳米工艺上修修改改。
而四星那边，则是之前被智云半导体挖
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