存生产工艺‘10b’工艺，实际工艺节点是十六纳米……而这个工艺节点已经逼近了hduv-600b型光刻机的物理极限。
在采用euv光刻机之前，已经很难再往下进行技术突破了……
未来的预定的10c工艺以及10d工艺，都是需要采用euv光刻机来支撑的。
同样的闪存芯片领域也同样如此，目前智云微电子旗下制造闪存的顶级工艺，也是使用的hduv-600b光刻机，其手机产品将会在今年随着新一代的s18手机推向市场。
而下一代的工艺技术同样需要euv光刻机的支撑……当然，闪存工艺相对来说还可以变通一二，可以通过堆迭更多的层数来减少对工艺制程的需求，所以哪怕没有euv光刻机，其实也能够生产更多层数的闪存芯片！
但是如果能够有更多层数的同时，还能够缩小晶体管的尺寸以及间隔，来一个同时加强，岂不是更好？
逻辑芯片、内存芯片以及闪存芯片，这三种芯片的性能强弱，都是和光刻机的技术水准息息相关的。
而让徐申学庆幸的是，目前海湾科技的euv光刻机项目推进顺利。
现在已经向智云微电子交付了第二台实验机，而接下来的各项测试以及研发工作如果顺利的话，那么今年秋季左右，海湾科技就能向智云微电子开始交付量产机型，大概明年智云微电子就能利用euv光刻机生产等效七纳米工艺的芯片。
当然，说的都是一切顺利的情况下，如果有些环节里稍微有些拖延，那么就会出现延迟，那么等到后年才突入量产也是很正常的事。
不过也不用太担心，asml的euv光刻机的技术进度以及台积电的euv光刻机的各项试验测试工作虽然更快一些，但是依旧需要时间，明年大概率都搞不定……之前那些年银河安保的工作做的还是很到位，硬
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