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第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程(6 / 10)

纸。

只能在工艺水平大幅度提升后,用在少数有特殊需求的半导体产品上。

常规光源的升级过程,就是不断地寻找无限接近x射线,但是又不能出现x射线现象的光源的过程。

最早的光刻机光源是可见的蓝光,波长是450纳米,实现了微米级的工艺。

在微缩光刻时代,迅速转入不可见的紫外光时代。

波长降低到了365纳米,实现了800纳米到280纳米的工艺。

之后很长的一段时间内,就是在紫外光的范围内,持续不断地缩短波长。

直到波长为193纳米的节点的时候,已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。

如果按照这个方向继续下去,本来应该去寻找波长157纳米的光源,开始生产45纳米及以下的芯片。

但是当时的光源开发公司,在研制波长157纳米的光源时遇到了困难,或者说是瓶颈。

当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

光进入水中时会发生折射,光源的波长也会有相应的缩短。

所以193纳米的光穿过一层水之后,就有了等效于134纳米波长光源的效果。

于是,台积电和阿斯麦尔合作,以林本坚提出的方向为目标,研发出了浸润式光刻机。

意思就是泡在水里面光刻。

继续使用193纳米的光源,推动芯片制程从45纳米继续上升,最终的极限做到了7纳米工艺。

直到深入5纳米制程范围的时候,193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。

半导体产业不得不尝试更换波长13.5纳米的极紫外光源。

所以对于大明而言,当然可以

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