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第七百八十五章 光刻机的技术之墙得用水泡!(5 / 8)

0.13微米的工艺能解决了,之后进入纳米时代呢?还是会遇到光刻机的光源问题的!

“接下来,一步到位,开发euv光刻机,光源使用13.5纳米的极紫外波长。”

徐教授一阵惊讶:“这也太快了吧?”

“一步步来,还会不断地遇到技术难题,还不如加大攻关难度,将这个捣鼓出来,以后十年二十年,都不用担心光源问题了。”

秦锋不懂具体的技术细节,但是他懂技术的发展路线,仅仅是这个,就会让己方的技术遥遥领先对手了。

在光刻机的技术探索上,有很多失败的例子,尼康的157纳米是个坑,同时,还有光刻机生产厂研究过126纳米光源,但是,这个波长更奇葩,不仅仅是熔石英会吸收,任何材料的吸收都很厉害,透镜不能用,只能用全反射的方式,结构跨度太大,分辨率也没提升多少。

所以,后世的光刻机厂商各种研究,最终认为,干脆一步到位,上13.5纳米的光源。

这个光源的研究,也是经过了长时间的尝试的,甚至最初还是13.4纳米,各种研究之后,才锁定13.5纳米。

“这个光源……”徐教授仔细地思考了一番:“得在真空中,还得是反射结构。”

反正继续向下选,各种光源都是需要真空环境加反射镜的,和之前的结构完全不同,所以,一步到位!

寻找反射的条件也不容易,最终工程师们找到了反射率最高的mo-si布拉格反射器,一层mo薄膜加上一层si薄膜,它的最高反射率在13.5纳米波长的位置,于是,这种光源就被确定了下来。

其他的技术路线,x光之类的,都被超越了。

不过,最初的时候,精度并不是特别高,只是比193浸润式光刻机提升了三倍而已,就算是这样,过渡到纳米时代也没问题了,之

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