，而是实打实的晶体管的接触栅极间距、金属间距这些真实的物理间距。
而以目前的人类技术，想要在实打实的物理极限上达到三纳米，那还早着呢！
以智云微电子的第二代七纳米工艺为例子，这个七纳米可不是真的物理极限七纳米，而是‘等效七纳米’……这其实是一个产品代号，或者宣传术语。
智云微电子的第二代七纳米工艺，接触栅极间距是五十四纳米，金属间距则是三十八米，台积电的七纳米工艺以及四星他们即将在今年推出的七纳米工艺，差不多也是这个水准。
并且到这个程度后继续往下缩减已经变得非常困难了……智云微电子的等效五纳米工艺里，预定的金属间距才是二十八纳米。
而这已经逼近了euv光刻机的单次曝光性能物理极限了！
再往下的话，就需要套刻精度更高，性能更强悍的下一代euv采用双重曝光、乃至四重曝光来生产了！
智云集团里技术研发阶段的等效三纳米工艺，预计就是采用下一代euv光刻机，采用双重曝光工艺，而之一代工艺的金属间隔设计指标是二十三纳米。
再往后所谓的等效二纳米、一纳米，零点几纳米之类的工艺，则是继续往下缩小这个金属间隔，而且还是一纳米，两纳米的小幅度的缓慢提升！
智云微电子预计到二十年后的工艺，金属间隔应该能缩小到十二纳米左右……至于实打实的把晶体管的间距做到三纳米的程度，别说二十年了，四十年估计都够呛！
而且四十年时间的话……智云集团估计都能把量子计算机给弄到大规模民用化了，到时候对高性能电子芯片的需求将会大幅度降低。
不过值得注意的是，量子计算机这东西，在很多特定领域里非常好用，比如人工智能所需求的并行计算领域里就非常好用，但是目前而言在通用计算
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