为18纳米。
第二代10b工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10c工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用euv光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10d工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10d工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10d的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的heuv-300c光刻机了。
之前的10c工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是heuv-300b光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10d工艺，则是需要更先进的heuv-300c光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是heuv-300c光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其1.5纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造euv单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的heuv-300b，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的heuv-300c，海湾科技都不愿意继续生产heuv-300b了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为euv的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点euv光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的euv镜片组
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