产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把heuv-300b光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买heuv-300c啊！
最后客户一算，heuv-300c虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购euv光刻机，都是采购heuv-300c型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的heuv-300c光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列euv双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的heuv-300d！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级euv光刻机，专门为了euv双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是heuv-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300d光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的euv光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，
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