影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在duv光刻机时代基本已经到极限了，euv光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在euv的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘na数值孔径’这么一个参数了。
如heuv-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的heuv-800光刻机，一种大数值孔径euv光刻机。
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。
i线光刻机，编号为hi-100系列……
krf光刻机，编号为hkrf-200系列
duv干式光刻机，编号为hduv-400系列。
duv浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为hduv-500系列，而支持四重曝光的则是hduv-600系列。
euv光刻机，因为当年徐申学一心奔着euv光刻机去，立项非常早，因此比duv光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了heuv-300的系列编号。
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了hnil-700的编号
而新一代的大数值孔径euv光刻机，则是采用了新的heuv-800系列编号。
这种新一代的heuv-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来
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